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山本 圭介 and 王 冬 and 中島 寛 and 菱木 繁臣 and 浦谷 泰基 and 坂井田 佳紀 and 川村 啓介,高移動度3C-SiC n-MOSFETの作製と高温動作実証,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2022-02-25,2022.1,0,2434-2434,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390303932788707840,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2434