著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
前澤 宏一,表面再構成制御成長法におけるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用,"富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報 = University of Toyama, Organization for Promotion Regional Collaboration, Collabpration Division, Venture Business Laboratory VBL annual report",,富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー,2009,21,,39-42,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390572174759857280,https://doi.org/10.15099/00006930