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前澤 宏一,"表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用(超高速情報伝達デバイスの創製と応用,プロジェクト研究成果報告)","富山大学ベンチャービジネスラボラトリー年報 = University of Toyama, Venture Business Laboratory VBL annual report",,富山大学ベンチャービジネスラボラトリー,2007,19,,42-45,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390572174759867648,https://doi.org/10.15099/00006834