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吉田 僚一郎 and 木村 有佐 and 安藤 幹 and 大島 佑太 and 鍋屋 信介 and 平川 顕二 and 岩瀬 正幸 and 小笠原 宗博 and 依田 孝 and 石原 昇 and 伊藤 浩之,高累積線量におけるMOSFETのゲートバイアス特性比較,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2020-08-26,2020.2,0,311-311,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390573407661599104,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_311