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小林 弘人 and 横川 凌 and 木下 晃輔 and 沼沢 陽一郎 and 小椋 厚志 and 西澤 伸一 and 更屋 拓哉 and 伊藤 一夫 and 高倉 俊彦 and 鈴木 慎一 and 福井 宗利 and 竹内 潔 and 平本 俊郎,Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-III-,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2019-02-25,2019.1,0,2757-2757,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390574677162454656,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2757