CMOSイメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性（II） –CH<sub>4</sub>Nイオン注入エピタキシャルウェーハの基礎特性–
書誌事項
- タイトル別名
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- Characteristics of Molecular Ion Implanted Epitaxial Wafers for CMOS Image Sensor (II) – Basic Characteristics of CH<sub>4</sub>N Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafer –
- 公開日
- 2019-02-25
- DOI
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- 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_3323
- 公開者
- 公益社団法人 応用物理学会
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 3323-3323, 2019-02-25
公益社団法人 応用物理学会
