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岡田 哲明 and 金 ボラム and Supplie Oliver and Pasazuk Agnieszka and Hannappel Thomas and 中野 義明 and 杉山 正和,MOVPEによるSi(100)基板上のGaP成長 : Si表面再構成プロセス条件の検討,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2018-03-05,2018.1,0,3497-3497,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390575130486074240,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3497