Characteristic of Molecular Ion Implanted Epitaxial Wafer (4) -Analysis of Gettering Mechanism for Heavy Metal by Using Atom Probe Tomography-

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  • 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（４） -３次元アトムプローブによる重金属ゲッタリングメカニズムの解析-

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