Characteristic of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers (2) - Hydrogen Passivation Effect of Room Temperature Bonding Wafer -

Bibliographic Information

Other Title
  • 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(2) ー 常温接合プロセスにおける水素のパッシベーション効果 ―
Published
2017-03-01
DOI
  • 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3610
Publisher
The Japan Society of Applied Physics

Journal

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