炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(2) ー 常温接合プロセスにおける水素のパッシベーション効果 ―
書誌事項
- タイトル別名
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- Characteristic of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers (2) - Hydrogen Passivation Effect of Room Temperature Bonding Wafer -
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3610-3610, 2017-03-01
公益社団法人 応用物理学会