炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(2) ー 常温接合界面における酸素の捕獲能力(2) ―
書誌事項
- タイトル別名
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- Characteristic of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers (2) -Trapping Ability of Oxygen by Bonded Region between Epitaxial Layer and Silicon Substrate at Room Temperature (2)-
- 公開日
- 2016-09-01
- DOI
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- 10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3321
- 公開者
- 公益社団法人 応用物理学会
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.2 (0), 3321-3321, 2016-09-01
公益社団法人 応用物理学会