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尾崎 拓也 and 船戸 充 and 川上 良介,有機金属気相成長法によるScAlMgO<sub>4</sub>(0001)基板上(In)GaNエピタキシャル層の作製と評価,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2014-09-01,2014.2,0,3203-3203,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390577895702507392,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3203