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Chanthaphan Atthawut and 箕谷 周平 and 中野 佑紀 and 中村 孝 and 細井 卓治 and 志村 考功 and 渡部 平司,Impacts of hydrogen annealing induced mobile ions on thermal SiO<sub>2</sub>/SiC interface property,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2013-03-11,2013.1,0,3282-3282,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390578847125723392,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3282