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桐野 嵩史 and Atthawut Chanthaphan and 池口 大輔 and 吉越 章隆 and 寺岡 有殿 and 箕谷 周平 and 中野 佑紀 and 中村 孝 and 細井 卓治 and 志村 考功 and 渡部 平司,SiO<sub>2</sub>/4H-SiC界面構造と伝導帯オフセットの相関,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2010-08-30,2010.2,0,3324-3324,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390580561434451200,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3324