著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
吉川 明彦 and 崔 成伯 and 王 新強,InN系窒化物半導体のエピタキシー制御とナノ構造作製,応用物理,03698009,公益社団法人 応用物理学会,2007-05-10,76,5,482-488,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390845702290733696,https://doi.org/10.11470/oubutsu.76.5_482