著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
天野 浩,窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望―バルクGaN単結晶成長技術開発の観点から,応用物理,03698009,公益社団法人 応用物理学会,2012-06-10,81,6,455-463,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390845702290838272,https://doi.org/10.11470/oubutsu.81.6_455