Copper film formation using ubiquitous gas added hydrogen plasma induced chemical transport

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  • ユビキタスガス添加水素プラズマ化学輸送法による銅薄膜の形成

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<p>我々は、廉価な水素ガスならびに窒素や水蒸気などのユビキタスガスを用い、電子回路の配線等に利用可能な金属銅の化学気相蒸着を試みている。今回、水、ならびに窒素を添加した水素プラズマを用いて銅薄膜の化学輸送による形成を行い、成膜速度の増大を達成するとともに、得られた銅薄膜の抵抗率、表面、断面形態を評価した。また、銅成膜時のプラズマを発光分光分析した。当日は、その結果を報告、議論する。</p>

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  • CRID
    1390848647555141248
  • NII Article ID
    130007896600
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2020s.0_383
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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