Effect of the crystal orientation of silicon substrates on the fabrication of three-dimensional microstructure

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  • 微小3次元構造アレイ作製におけるシリコン基板表面の結晶方位の影響

Abstract

<p>シリコン基材表面への微小な3次元構造体の作製手法として、除去加工であるエッチングが挙げられる。特に、特定の方向にのみ基材を除去する加工を異方性エッチングという。著者らはこれまでも、シリコン基材の異方性エッチングにより、シリコン基板表面へ、微小3次元構造体のアレイの作製を行ってきた。今回は、その3次元構造体アレイの作製において、シリコン基材の結晶方位が及ぼす影響等について検討した。</p>

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Keywords

Details

  • CRID
    1390850092194054528
  • NII Article ID
    130007989053
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2020a.0_491
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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