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前澤 宏一 and 斉藤 光史,表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作製とその超高速FETへの応用,"富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー年報 = University of Toyama, Organization for Promotion Regional Collaboration, Collabpration Division, Venture Business Laboratory VBL annual report",,富山大学地域連携推進機構産学連携部門ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー,2008,20,,84-85,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390853649736566656,https://doi.org/10.15099/00006897