CMOSイメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性（Ⅰ） -水素脱離挙動の反応速度論解析-
書誌事項
- タイトル別名
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- Characteristic of Molecule Ion Implanted Epitaxial Wafers for CMOS image sensor (Ⅰ) -Reaction kinetic analysis of hydrogen diffusion behavior-
- 公開日
- 2019-02-25
- DOI
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- 10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_3322
- 公開者
- 公益社団法人 応用物理学会
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 3322-3322, 2019-02-25
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390856152139589632
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- ISSN
- 24367613
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC