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五十嵐 廉 and 森 雅之 and 前澤 宏一,表面再構成制御法を用いたSi(111)基板上へのIn<sub>0.2</sub>Ga<sub>0.8</sub>Sbエピタキシャル成長,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2018-09-05,2018.2,0,3233-3233,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390856384291980288,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3233