Characteristic of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers (5) -Carbon cluster ion implantation-related defect formation analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy-

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  • 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(5) -X線光電子分光法による注入欠陥形成の解析-

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