炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(5) －X線光電子分光法による注入欠陥形成の解析－
書誌事項
- タイトル別名
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- Characteristic of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers (5) -Carbon cluster ion implantation-related defect formation analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy-
- 公開日
- 2017-03-01
- DOI
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- 10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3613
- 公開者
- 公益社団法人 応用物理学会
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3613-3613, 2017-03-01
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390857136568671104
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- ISSN
- 24367613
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC