Characteristic of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers (5) - Impact of Carbon Cluster Ion Implanted Projected Range using by Microwave heat treatment -

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  • 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(5) -マイクロ波加熱処理がクラスター注入レンジに与える効果-

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