炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（5） -マイクロ波加熱処理がクラスター注入レンジに与える効果-
書誌事項
- タイトル別名
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- Characteristic of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers (5) - Impact of Carbon Cluster Ion Implanted Projected Range using by Microwave heat treatment -
- 公開日
- 2016-03-03
- DOI
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- 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3623
- 公開者
- 公益社団法人 応用物理学会
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3623-3623, 2016-03-03
公益社団法人 応用物理学会