Characteristic of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers (4) -Trapping Ability of Oxygen by Bonded Region between Epitaxial Layer and Silicon Substrate at Room Temperature-

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  • 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（4） ー 常温接合界面における酸素の捕獲能力 ―

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