炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（4） ー 常温接合界面における酸素の捕獲能力 ―
書誌事項
- タイトル別名
-
- Characteristic of Carbon Cluster Ion Implanted Epitaxial Silicon Wafers (4) -Trapping Ability of Oxygen by Bonded Region between Epitaxial Layer and Silicon Substrate at Room Temperature-
- 公開日
- 2016-03-03
- DOI
-
- 10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3622
- 公開者
- 公益社団法人 応用物理学会
収録刊行物
-
- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
-
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3622-3622, 2016-03-03
公益社団法人 応用物理学会