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野々田 亮平 and 正直 花奈子 and 谷川 智之 and 窪谷 茂幸 and 片山 竜二 and 松岡 隆志,MOVPE成長N極性(000\overline{1})p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2015-08-31,2015.2,0,3105-3105,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390858773326203520,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_3105