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永瀬 成範 and 高橋 言緒 and 清水 三聡,MOVPEを用いたGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製,応用物理学会学術講演会講演予稿集,2436-7613,公益社団法人 応用物理学会,2013-03-11,2013.1,0,2842-2842,https://cir.nii.ac.jp/crid/1390860322102023424,https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2842