著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
廣木 正伸 and 前田 就彦 and 重川 直輝,再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2010-01,109,361,71-76,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009407353963648,