著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
三好 実人 and Subramaniam Arulkumaran and 石川 博康,100-mm-diameter AlGaN/GaN Epitaxial Wafers for HEMTs Grown on Sapphire Substrates,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2003-07-01,103,160,13-16,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009407377928832,