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松井 慎一 and 山本 幸太郎 and 石川 博康,4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2004-10-22,104,358,23-27,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009408328261504,