著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
Ki-Soo Kim and Joo-Kyung Song and Ohyun Kim,The Dopant Diffusion Characteristics of the PH3 Ion Shower Implantation (ISI) and RTA with Oxide Capping for SOI,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2004-06-30,104,152,17-22,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009408605696640,