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李 祐植 and 大賀 涼 and 吉田 義浩,液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2003-05-16,103,49,13-18,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009408657194368,