著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
永井 一弘 and Lawrence Selvaraj and 江川 孝志,Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2010-05,110,31,5-9,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009409016312064,