著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
張 志宇 and 横山 正史 and 金 相賢,Impact of metal gate electrodes on electrical properties of InGaAs MOS gate stacks,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2013-06-18,113,87,33-37,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009409028025216,