Origin of Anisotropic Electrical Properties of 4H-SiC Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on Off-Axis Substrates

詳細情報 詳細情報について

• CRID

  1520009409166630784

• NII論文ID

  40019495917

• NII書誌ID

  AA12295836

• ISSN

  00214922

• NDL書誌ID

  024102710

• Web Site

  http://id.ndl.go.jp/bib/024102710

  https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024102710

• 本文言語コード

  en

• NDL 雑誌分類

  • ZM35(科学技術--物理学)

• データソース種別

  • NDLサーチ
  • CiNii Articles