著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
小尻 尚志 and 諏訪 智之 and 橋本 圭市,高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2015-12-14,115,362,1-4,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009409186049920,