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岩谷 素顕 and 上山 智 and 天野 浩,AlGaN/GaN系高出力パワーデバイスの作製とその温度特性,名城大学総合研究所紀要 = Bulletin of Research Institute of Meijo University,13448099,名古屋 : 名城大学総合研究所,2010,,15,49-52,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009409288181120,