Enhancement and Retardation Mechanism of Ultra-Thin SiO₂ Growth on Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Si(001) Surfaces
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- 日本大学工学部紀要 = The Journal of the College of Engineering, Nihon University / 日本大学工学部工学研究所 編
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日本大学工学部紀要 = The Journal of the College of Engineering, Nihon University / 日本大学工学部工学研究所 編 54 (2), 25-33, 2013-03
郡山 : 日本大学工学部工学研究所
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1520009409477010176
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- NII Article ID
- 40019654685
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- NII Book ID
- AA11163716
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- ISSN
- 13432885
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- NDL BIB ID
- 024528056
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- Text Lang
- en
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- NDL Source Classification
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- ZM2(科学技術--科学技術一般--大学・研究所・学会紀要)
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- Data Source
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- NDL
- CiNii Articles