著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
太田 裕之 and 平野 晃人 and 渡邉 幸宗,招待講演 High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2008-01-24,107,455,1-4,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009409492350080,