著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
北川 光彦,5000V SiC双方向スーパージャンクションMOSFETの特性予測,"電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan",,東京 : 電気学会,2017-11-20,2017,52-65・67-73,23-28,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009410006878976,