著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
柴田 大輔 and 半田 浩之 and 塩崎 奈々子 and 梶谷 亮 and 梅田 英和 and 宇治田 信二 and 小川 雅弘 and 田中 健一郎 and 田村 聡之 and 初田 次康 and 石田 昌宏 and 上田 哲三,再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発,"電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan",,東京 : 電気学会,2017-03,2017,42-51,13-17,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009410008880896,