著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
松尾 直人 and 河本 直哉 and Fakhrul Anwar,エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル--転位論に基ずく検討,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,1999-04-23,99,22,9-14,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009410307508992,