著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
松野 繁 and 内川 英興 and 渡井 久男,溶液気化CVD法によるDRAM用高誘電率キャパシタ膜形成技術の開発,まてりあ = Materia Japan,13402625,仙台 : 日本金属学会 ; 1994-,1998-06,37,6,528-530,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520009410348291200,