両面リングラフィ技術を用いた3.3kV両面ゲートIGBT (BC-IGBT)

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書誌事項

タイトル別名
  • リョウメン リングラフィ ギジュツ オ モチイタ 3.3kV リョウメン ゲート IGBT (BC-IGBT)
  • 3.3kV Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT) Using Manufacturable Double-Side Process Technology
  • 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術
  • デンシ デバイス/ハンドウタイ デンリョク ヘンカン ゴウドウ ケンキュウカイ ・ パワーデバイス ・ パワーエレクトロニクス ト ソノ ジッソウ ギジュツ
公開日
2021-10-22
公開者
東京 : 電気学会

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