著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI)
阪口 浩介 and 小西 和也 and 江口 佳佑 and 曽根田 真也,第3世代650V RC-IGBTの局所ライフタイム制御と高密度配置ダイオードによるジャンクション温度の低減,"電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan",,東京 : 電気学会,2023-10-27,2023,45-67,17-21,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520016649123345408,