Author,Title,Journal,ISSN,Publisher,Date,Volume,Number,Page,URL,URL(DOI)
野本 一貴 and 中村 徹,イオン注入GaN系電界効果トランジスタの高性能化,法政大学イオンビーム工学研究所報告,02860201,小金井 : 法政大学イオンビーム工学研究所,2009,,30,3-12,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290882142630912,