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柴口 拓 and 池田 弥央 and 東 清一郎,光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2005-03-11,104,713,63-66,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290882304668928,