著者名,論文名,雑誌名,ISSN,出版者名,出版日付,巻,号,ページ,URL,URL(DOI) Rahman M. Mizanur and 車谷 健太郎 and 丹保 豊和,MBE growth of Si0.75Ge0.25 Alloy Layers Using (Si14/Ge1)20 and (Si28/Ge2)10 Short-period superlattices,電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報,09135685,東京 : 電子情報通信学会,2002-11-13,102,434,65-69,https://cir.nii.ac.jp/crid/1520290882474605056,